中国上海—2021年6月3日—定制芯片设计、生产及IP授权的高新技术企业——灿芯半导体日前宣布推出ONFI 4.2 IO及物理层IP，该IO支持SDR/NV-DDR/NV-DDR2 1.8V, NV-DDR3 1.2V, 该物理层IP采用全数字设计，具有低功耗、面积小等特点。
此次推出的ONFI物理层IP可应用于开放式NAND闪存界面，兼容ONFI 4.2/4.1/4.0/3.2等标准，目前该IO及物理层IP已经在40nm工艺上通过硅验证。
ONFI 4.2物理层IP具有如下特点：
基于 40LL工艺，并通过流片验证测试
支持 NV_DDR3 1.2V Max 1600Mbps; NV_DDR21.8V Max 800Mbps
支持40LL Max 800Mbps
支持芯片内终端匹配电阻(On-Die Termination; ODT)及支持阻抗校准
遵循国际开放式NAND闪存界面规范, 支持ONFI4.2/ 4.1/4.0/3.2等标准
支持DQS Gate、Write、Read训练
采用全数字延迟单元(DLL)
采用APB寄存器接口
“基于10多年定制芯片设计和IP研发的成功经验，灿芯半导体紧跟先进工艺，持续为客户创造价值，” 灿芯半导体工程副总裁刘亚东表示，“ONFI IP已通过流片验证，将助力客户快速实现量产。”
关于灿芯半导体
灿芯半导体是提供定制芯片设计、生产及IP授权的高新技术企业，为客户提供从芯片架构设计到芯片成品的一站式服务，致力于为客户提供高价值、差异化的解决方案。
灿芯半导体的“YOU”系列IP和YouSiP（Silicon-Platform）解决方案，经过完整的流片测试验证。其中YouSiP方案可以为系统公司、无厂半导体公司提供原型设计参考，从而快速赢得市场。
灿芯半导体成立于2008年，公司总部位于中国上海，为客户提供全方位的优质服务。