上海,2013年4月8日—— 一站式定制芯片及IP供应商——,灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)今日宣布,其基于0.11微米工艺平台而开发的USB 2.0物理层设计(PHY)已通过USB-IF的高速产品测试程序,并取得了USB-IF的高速产品商标 。该USB 2.0物理层设计同时支持器件和主机应用的On-The-Go(OTG)规范,可以用于所有需要USB 2.0的相关产品,比如实现数据存储的桥应用程序接口,以及移动手持设备的SoC整合等。
灿芯半导体在该物理层设计的PLL,I/O等关键模块上, 采用创新的架构和技术,使其性能相比于竞争者的产品,具有尺寸更小、功耗更低、性能更好的优点。同时,灿芯半导体今年还将推出基于55纳米工艺节点的USB物理层设计,并着手开发40纳米工艺节点的USB物理层设计。
中芯国际首席执行官邱慈云博士指出:“虽然USB3.0已上市多年,但目前市场主流、出货量最大的还是USB2.0。灿芯半导体的USB 2.0 OTG PHY通过USB-IF协会标志认证,体现了灿芯对于核“芯”技术质量的重视。他们不但追求性能与成本的优越,可靠的品质更是其重要的设计指标。我们期待未来能合作推出更多高品质的技术。”
“USB无处不在,而USB 2.0仍是目前消费类和工业类芯片中最主流的接口。灿芯半导体致力于设计开发高速接口IP、利用先进稳定的0.11微米工艺开发高度整合的USB物理层设计”,灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士说,“灿芯半导体USB 2.0 OTG PHY通过USB-IF协会标志认证,这对于灿芯半导体在IP开发领域具有里程碑的意义,意味着我们可以为客户提供符合USB-IF认证规范的、高性能的、可靠的USB物理层设计,从而保证客户ASIC产品的质量。”