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灿芯半导体宣布其DDR4 IP在中芯国际40纳米工艺上实现了2400 Mbps速率
发布日期: 2016-11-15 访问量:368

中国,上海—2016年11月15日—灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”),今天宣布其YouPHY-DDR系列DDR4,DDR3/LPDDR3子系统通过了中芯国际40纳米低漏电工艺流片验证。根据实测数据,YouPHY-DDR子系统为客户带来了低功耗、小面积的高速DDR方案,其传输速率成功地在DDR4标准上实现了2400 Mbps,在DDR3/LPDDR3标准上实现了2133 Mbps。

YouPHY-DDR是灿芯半导体带来的一个完整DDR解决方案,不仅包括DDR控制器(controller),PHY和I/O,而且包括特别开发的调试和测试软件,是一个完整的子系统。该方案是基于中芯国际从40纳米到28纳米的各种先进工艺而开发,可支持DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4等应用,支持从2133Mbps 到3200Mbps的数据传输速率。其特有的动态自校准逻辑(DSCL)和动态自适应比特校准技术(DABC),可自动补偿芯片级、封装级、板级和存储器级别的工艺/电压/温度(PVT)波动而产生的器件性能差异,以及实现传输字节间的斜交自动补偿。YouPHY-DDR可以为客户提供最高性能、最低功耗、最小面积和最快上市时间的DDR接口IP方案。

 

基于独特的技术,灿芯半导体将会持续为客户提供先进的高性能、高可靠性的DDR接口IP解决方案,其可实现3200 Mbps传输速率的28纳米DDR/LPDDR4将会很快通过流片验证。我们相信YouPHY-DDR将会是您DDR接口IP的最佳方案选择。

 

您可以通过访问我们的主页www.britesemi.com或直接发送邮件到sales_bs@britesemi.com联系我们,以获得更多的信息。

 

关于灿芯半导体

灿芯半导体(上海)有限公司是一家国际领先的ASIC设计服务公司,由中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)和来自海外与国内的风险投资公司共同创建。定位于90nm/65nm/40nm/28nm 及更高端的SoC设计服务,灿芯半导体为客户提供从源代码或网表到芯片成品的一站式服务,并致力于为客户复杂的ASIC设计提供一个低成本、低风险的完整的芯片整体解决方案。