灿芯半导体与成都纳能、PLDA合作推出PCIe 2.0/3.0完整解决方案

日期 : 2018-12-11 字体大小 : A A A

中国,上海——2018年12月11日——国际领先的定制化芯片(ASIC)设计方案提供商及DDR控制器和物理层IP供应商——灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)对外宣布与成都纳能、PLDA合作,推出基于中芯国际40nm和55nm工艺技术的PCIe 2.0/3.0完整解决方案。

 

“纳能与灿芯半导体合作,提供基于中芯国际40nm和55nm的PCIe 2.0/3.0解决方案,满足最新的PIPE规范,支持2.5G、5G数据率,功耗低、面积小,可以有效降低SoC设计风险和成本,”成都纳能首席执行官武国胜说,“我们期待着与灿芯半导体携手,为客户提供符合相关标准的、高性能、低成本的整体解决方案。”

 

“PLDA 的PCIe Controller可以与任何标准的PCIe PHY匹配,这样使客户对于PHY的选择提供了很大的灵活性,”PLDA首席执行官Arnaud Schleich说,“此次与灿芯半导体进一步加深合作,提供高性能、低功耗的PCIe技术,降低SoC集成风险,将为客户提供高速数据传输需求的完整解决方案。”

 

灿芯半导体首席执行官庄志青博士表示:“灿芯半导体此次与成都纳能、PLDA合作,提供基于中芯国际40nm和55nm工艺的PCIe解决方案,提升高速数据传输SoC芯片的设计能力,为通信、云计算和车用SoC芯片设计降低风险,缩短上市时间。”

 

 

 

关于灿芯半导体

灿芯半导体(上海)有限公司,是一家国际领先的定制化芯片(ASIC)设计方案提供商以及DDR控制器/PHY 供应商,定位于55nm/40nm/28nm以下的高端系统级芯片(SoC)设计服务与一站式交钥匙(Turn-Key) 服务。灿芯半导体为客户提供从源代码网表到芯片成品的一站式服务,并致力于为客户的复杂ASIC设计提供一个低成本、低风险的整体解决方案。

灿芯半导体由海内外的风险投资公司于2008年投资成立,2010年和中芯国际集成电路制造有限公司结盟成战略伙伴。公司总部位于中国上海,下设北京灿芯创智和合肥灿芯科技两家子公司,同时还在美国、欧洲、日本和台湾地区等地设立行销办事处,提供客户服务。

详细信息请参考灿芯半导体网站www.britesemi.com

 

关于成都纳能

成都纳能微电子有限公司位于四川省成都市高新区软件园, 是一家由海归牵头的高科技集成电路设计公司,专注于集成电路IP核的自主知识产权研发和持续创新,拥有PCIE,USB3.1/USB3.0/USB2.0,JESD204B,V-By-One及下一代高速串行数据传输IP核等多项核心技术。

纳能技术研发团队拥有平均十年的工业界芯片设计与量产经验, 与国际主流代工厂长期保持良好的合作关系,目前在0.13um至28nm工艺节点为大量国内外客户完成了十余类集成电路IP核的设计开发与流片验证,其中包括多家国内外知名企业。

更多信息,请访问官网www.nanengmicro.com

 

关于PLDA

PLDA是从事半导体知识产权 (SIP) 开发及授权的厂商,专注于提供支持数千兆速率 (2.5G,5G,8G,16G,32G,56G,112G)的高速接口互联协议,包括PCI Express,CCIX及Gen-Z等。作为高速接口协议IP行业的领导者,PLDA在全球62个国家拥有超过3200名客户和7000个IP授权许可。PLDA是一家全球性技术公司,总部位于法国,在美国硅谷、保加利亚、中国大陆和台湾地区设有分公司及办事处。

更多的信息,请访问官网www.plda.com